P-26
水素インターカレーションで形成されたナノグラフェンの電子状態
飯盛 拓嗣（物性研究所）
要旨
SiC(0001)表面にCVD法を用いて形成したバッファー層に水素インターカレーションにより、単層のグラフェンシートを形成できることが知られている。この水素インターカレーションの初期段階で微小領域のナノグラフェンが形成される。その電子構造やグラフェン密度の水素処理時間依存性を調べるために、高エネルギー加速器研究機構・フォトンファクトリーで放射光を用いたX線光電子分光や角度分解光電子分光を行った。
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